BA1F4N-A datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  BA1F4N-A
• Производитель
  Renesas Electronics
• Описание
  Renesas Electronics BA1F4N-A Lead Free: Yes Package Shape: RECTANGULAR Package Style: IN-LINE Terminal Form: THROUGH-HOLE Terminal Finish: NOT SPECIFIED Terminal Position: SINGLE Number of Terminals: 3 Package Body Material: PLASTIC/EPOXY Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR Number of Elements: 1 Transistor Application: SWITCHING Transistor Element Material: SILICON Transistor Polarity: NPN Power Dissipation Ambient-Max: 0.2500 W Transistor Type: GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL Turn-on Time-Max (ton): 300 ns Turn-off Time-Max (toff): 6000 ns DC Current Gain-Min (hFE): 95 Collector Current-Max (IC): 0.1000 A Collector-emitter Voltage-Max: 50 V
• Количество страниц
  2 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet BA1F4N-A.pdf
Файл формата Pdf 126,89 KB